Лабораторный стенд LF-1001 Изучение процессов накачки твердотельного лазера на кристалле Y3Al5O12:Nd

Лабораторный стенд LF-1001 позволяет наглядно изучить следующие процессы:

· полупроводниковая накачка;

· управление лазерным пучком;

· поглощение кристаллаY₃Al₅O₁₂:Nd;

· детектирование ИК-излучения;

· визуализация излучения;

· зависимость длины волны излучения и мощности диода от температуры.

Целью лабораторной работы является определение оптимального значения длины волны полупроводникого лазера при накачке на уровень ⁴F_5/2 ионов Nd³⁺ в кристаллах Y₃Al₅O₁₂:Nd.

Методика, используемая в настоящей работе для получения контура спектра поглощения ⁴I_9/2→⁴F_5/2 ионов Nd³⁺ в кристаллах Y₃Al₅O₁₂:Nd, основана на зависимости длины волны излучения полупроводникового лазерного диода от температуры. Для получения контура спектра поглощения для перехода ⁴I_9/2→⁴F_5/2 ионов Nd³⁺ необходимо для фиксированной температуры полупроводникового лазерного диода зарегистрировать с помощью фотодетектора интенсивность излучения полупроводникового лазера в отсутствии и при наличии стержня из кристалла Y₃Al₅O₁₂:Nd.

КОМПЛЕКТАЦИЯ

Лабораторный стенд поставляется в упаковочных кейсах с ложементом, методическим описанием, комплектом крепёжных элементов, набором для чистки оптики и инструментами.

Некоторые упражнения, которые позволяет выполнять стенд LF-1001:

· Определение контура спектра поглощения, соответствующего переходу ⁴I_9/2→⁴F_5/2 ионов Nd³⁺ в кристалле Y₃Al₅O₁₂:Nd:

· Определение времени жизни верхнего лазерного уровня ⁴F_3/2 ионов Nd³⁺ в кристалле Y₃Al₅O₁₂:Nd:

· Измерение зависимости выходной мощности диодного лазера от температуры: